公司的主要产品有高性能肖特基势垒二极管（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RFPA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于消费电子、新能源汽车、数据中心、超算中心、杀菌消毒、激光显示及5G通讯等领域。

公司从事高品质氮化镓（GaN）系列第三代半导体材料的MOCVD外延生长、电子器件和光电器件结构外延片的研发和制造、电子器件和光电器件芯片流片、芯片和模组的封装制造等全产业链（IDM）产品的研发和生产。公司掌握从外延生长、器件设计到芯片制造、封装测试全产业链技术，成功在硅衬底和蓝宝石衬底外延氮化镓材料，并先后推出E-mode（增强型）和D-mode（耗尽型）氮化镓场效应晶体管（GaNMOSFET）芯片，在中压650V规格上已量产出货。 公司通过自身在氮化镓领域的长期积累，持续投入研发高压低阻、低压低阻及中压低阻等产品，产品矩阵丰富，电性能指标优越，力争成为行业内的领军企业。