本设备用于晶圆湿法刻蚀的金属剥离及光阻胶去除。集成 浸泡、去胶、清洗 三大功能单元，晶圆兼容性6吋、8吋。设备产能依工艺条件而定，线宽大于等于1um，适用工艺PAD lift off，应用领域LED,IGBT,VCSEL,MEMS,IC及其他。制成温度控制可以达到±2°，离心电机最高空载转速4500rpm，最小调整数量1rpm，精度±2rpm。在设备运行中工业安全可控，设备运行视频监控，火焰检测。CHUCK多点支撑，边缘限位。自动机械对中（MCA）操作系统windows，图形化人机界面、可编辑。