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产品介绍:
VS-300T 为拓荆自主研发的ALD原子层沉积设备。VS-300T 系列产品可搭载4个反应腔，结构紧凑，同时满足高产能需求，具有优异坪效比及CoO。该系列产品可沉积高质量的SiO、SiN、TiO薄膜，在均匀性、颗粒度、台阶覆盖率等方面达到国际领先水平，满足逻辑、存储等客户先进技术节点要求。
产品特点：
ALD薄膜在高深宽比（20:1）情况下台阶覆盖率可达到95%
可搭载4个反应腔的高坪效比的新型五边形设备
优异工艺性能，具有优异的均匀性和保形性
通过S2安全认证和E47标准检验
